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No.	資料番号	資料種別	請求記号	配架場所	状態	貸出
1	0015051238	図書一般	549.8/ｵｵ19/	2F自然	貸出可	○

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書誌情報サマリ

タイトル	基礎から学ぶ半導体電子デバイス
人名	大谷直毅／著
人名ヨミ	オオタニナオキ
出版者・発行者	森北出版
出版年月	2019.10

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別	図書
タイトル	基礎から学ぶ半導体電子デバイス
タイトルヨミ	キソカラマナブハンドウタイデンシデバイス
人名	大谷直毅／著
人名ヨミ	オオタニナオキ
出版者・発行者	森北出版
出版者・発行者等ヨミ	モリキタシュッパン
出版地・発行地	東京
出版・発行年月	2019.10
ページ数または枚数・巻数	9,177p
大きさ	22cm
価格	￥２５００
ISBN	978-4-627-77621-0
ISBN	4-627-77621-0
分類記号	549.8
件名	半導体／集積回路
内容紹介	半導体の概念からデバイスの基本動作までを丁寧に解説。物理現象を順を追って平易に説明しているので、ミクロな現象の本質を定性的に理解できる。数式の展開を丁寧にするとともに、省略されがちな内容を付録にまとめる。
著者紹介	北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了。博士(工学)。同志社大学理工学部教授。
言語区分	JPN
タイトルコード	1009812346989
目次	Chapter 1 半導体の基礎
	1.1 炭素の同素体:ダイヤモンドとグラファイト／1.2 半導体の定義／1.3 結晶構造とエネルギーバンドモデル／1.4 真性半導体と不純物半導体／演習問題
	Chapter 2 半導体中のキャリア密度
	2.1 真性半導体のキャリア密度／2.2 不純物半導体のキャリア密度／2.3 真性キャリア密度／2.4 絶縁体,半導体,導体のエネルギーバンド／2.5 キャリア密度の温度依存性／演習問題
	Chapter 3 半導体中のキャリア輸送現象
	3.1 熱平衡状態におけるキャリアの様子／3.2 キャリアのドリフトと移動度／3.3 ホール効果／3.4 拡散電流／3.5 移動度と拡散係数の関係／3.6 キャリアの生成と再結合／3.7 連続の式／3.8 高電界効果／演習問題
	Chapter 4 pn接合ダイオード
	4.1 階段接合の空乏層,内蔵電位の形成／4.2 片側階段接合／4.3 空乏層容量／4.4 理想電流-電圧特性／4.5 キャリアの蓄積と過渡応答／演習問題
	Chapter 5 金属と半導体の接合による整流特性
	5.1 金属とn型半導体の接合／5.2 金属とp型半導体の接合／5.3 ショットキー接合の場合の電流-電圧特性／5.4 空乏層容量-電圧特性から不純物濃度を求める／演習問題
	Chapter 6 バイポーラトランジスタ
	6.1 バイポーラトランジスタの構造／6.2 トランジスタの動作原理:活性モードの場合／6.3 活性モードにおけるコレクタ電流の決定／6.4 四つの動作モード／6.5 エミッタ接地／6.6 バイポーラトランジスタの周波数特性／6.7 スイッチング過渡特性／6.8 サイリスタ／演習問題
	Chapter 7 接合型電界効果トランジスタ
	7.1 FETの基本的な考え方／7.2 JFETの動作原理／7.3 JFETの直流特性／7.4 JFETの直流ドレイン特性の計算／7.5 小信号等価回路／演習問題
	Chapter 8 MOSダイオード
	8.1 MOSダイオードの熱平衡状態におけるエネルギーバンド構造／8.2 ゲート電圧によるエネルギーバンドおよびキャリア密度の変化／8.3 小信号電圧に対するMOSダイオードの静電容量／8.4 フラットバンド電圧／演習問題
	Chapter 9 MOSFET
	9.1 MOSFETの直流特性／9.2 小信号等価回路と周波数特性／9.3 ゲート電圧依存性の制御／演習問題
	Chapter 10 MOS集積回路
	10.1 インバータ回路／10.2 MOSFET縮小則／演習問題
	Chapter 11 MESFET
	11.1 MESFETの素子構造／11.2 MESFETの動作原理／11.3 MESFETの電流-電圧特性の計算／11.4 MESFETの周波数応答／演習問題
	付録A エネルギーバンド構造について
	A.1 定性的な考え方／A.2 クローニッヒ・ペニーモデル:量子井戸
	付録B 状態密度の計算方法
	付録C 有効質量の概念,直接遷移型と間接遷移型半導体
	C.1 有効質量の概念／C.2 直接遷移型と間接遷移型半導体
	付録D 価電子帯のエネルギーと正孔の概念
	付録E ヘテロ接合,トンネル効果,半導体超格子
	E.1 ヘテロ接合／E.2 トンネル効果／E.3 半導体超格子
	付録F ショットキー接合の電流-電圧特性
	付録G バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足
	G.1 Hパラメータの表記／G.2 高周波特性の計算