検索結果資料の内容

図書
ログインすると表紙画像を
ご覧になれます
ご利用の地域の図書館が所蔵している場合、そちらの方が早く借りられることもあります。
また、ご利用の地域の図書館に申し込み、県立図書館の資料を取り寄せることもできます。
岡山県図書館横断検索

この資料の情報へのリンク：

蔵書情報

この資料の蔵書に関する統計情報です。現在の所蔵数 在庫数 予約数などを確認できます。

所蔵数 1 在庫数 1 予約数 0

資料の状態

各蔵書資料に関する詳細情報です。

No. 資料番号 資料種別 請求記号 配架場所 状態 貸出
1 0014784656図書一般549.7/ｺﾊ19/2F自然貸出可  ○

この資料に対する操作

カートに入れる を押すと この資料を 予約する候補として予約カートに追加します。

いますぐ予約する を押すと 認証後この資料をすぐに予約します。

この資料に対する操作

電子書籍を読むを押すと 電子図書館に移動しこの資料の電子書籍を読むことができます。

登録するリストログインメモ

書誌情報サマリ

タイトル

集積回路のための半導体デバイス工学

人名 小林 清輝／著
人名ヨミ コバヤシ キヨテル
出版者・発行者 コロナ社
出版年月 2018.4

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル 集積回路のための半導体デバイス工学
並列タイトル Semiconductor Device Engineering for Integrated Circuits
タイトルヨミ シュウセキ カイロ ノ タメ ノ ハンドウタイ デバイス コウガク
人名 小林 清輝／著
人名ヨミ コバヤシ キヨテル
出版者・発行者 コロナ社
出版者・発行者等ヨミ コロナシャ
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2018.4
ページ数または枚数・巻数 8,186p
大きさ 21cm
価格 ￥２５００
ISBN 978-4-339-00909-5
ISBN 4-339-00909-5
注記 文献:章末
分類記号 549.7
件名 集積回路 ／ シリコン(半導体)
内容紹介 「シリコンを使ったMOS集積回路」について初めて学ぶ人のための教科書。電気電子・情報通信分野の大学生等を対象に、固体電子論の基礎から、MOSFETの動作原理、LSI製造プロセス、LSIの構成と動作までを解説。
著者紹介 名古屋大学大学院工学研究科博士前期課程修了(応用物理学専攻)。博士(工学)。東海大学教授。
言語区分 JPN
タイトルコード 1009812200322
目次 1章 集積回路の微細化が進められた理由
1.1 なぜ集積回路を微細化するのか／1.2 集積回路の微細化と性能の推移／1.3 近年のLSI／1.4 集積回路の種類と用途／演習問題／引用・参考文献
2章 固体電子論の基礎
2.1 自由電子の波動関数／2.2 シリコンの結晶構造／2.3 逆格子／2.4 結晶の中の電子の波動関数／2.5 エネルギーバンド／2.6 金属,絶縁体,半導体のエネルギーバンド／演習問題／引用・参考文献
3章 半導体中のキャリヤ
3.1 真性半導体／3.2 真性半導体の伝導電子密度と正孔密度／3.3 真性フェルミ準位／3.4 有効質量／3.5 正孔／3.6 不純物半導体／3.7 キャリヤ密度とフェルミ準位／3.8 キャリヤのドリフトと移動度／3.9 キャリヤの拡散／演習問題／引用・参考文献
4章 MOSFETの動作原理
4.1 MOS構造／4.2 空乏近似／4.3 ポアソン方程式の厳密な解／4.4 フラットバンド電圧／4.5 MOSFETの動作／4.6 線形領域と飽和領域のドレイン電流／4.7 MOSFETの種類／4.8 CMOSインバータ／4.9 比例縮小則／4.10 MOSFETにおける短チャネル効果／演習問題／引用・参考文献
5章 LSI製造プロセス
5.1 LSIができるまでの流れ／5.2 製造プロセスのフロー／5.3 要素プロセス技術／5.4 LSIのプロセスフロー(CMOSインバータ)／5.5 MOSFET高性能化技術の進展／5.6 銅配線／5.7 シリコン結晶／演習問題／引用・参考文献
6章 LSIの構成と動作
6.1 DRAMの動作／6.2 SRAMの動作／6.3 NOR型フラッシュメモリの構造と動作／6.4 NAND型フラッシュメモリの構造と動作／演習問題／引用・参考文献



目次


内容細目

関連資料

この資料に関連する資料を 同じ著者 出版年 分類 件名 受賞などの切り口でご紹介します。

549.7　549.7
集積回路　シリコン(半導体)
もどる
このページの先頭へ トップページへ

本文はここまでです。

ページの終わりです。