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No.	資料番号	資料種別	請求記号	配架場所	状態	貸出
1	0011898780	図書一般	549.8/ﾆﾎ13/	2F自然	貸出可	○

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書誌情報サマリ

タイトル	半導体・電子材料分析
人名	日本分析化学会／編
人名ヨミ	ニホンブンセキカガクカイ
出版者・発行者	丸善出版
出版年月	2013.7

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別	図書
タイトル	半導体・電子材料分析
シリーズ名	試料分析講座
タイトルヨミ	ハンドウタイデンシザイリョウブンセキ
シリーズ名ヨミ	シリョウブンセキコウザ
人名	日本分析化学会／編
人名ヨミ	ニホンブンセキカガクカイ
出版者・発行者	丸善出版
出版者・発行者等ヨミ	マルゼンシュッパン
出版地・発行地	東京
出版・発行年月	2013.7
ページ数または枚数・巻数	21,300p
大きさ	21cm
価格	￥４８００
ISBN	978-4-621-08700-8
ISBN	4-621-08700-8
注記	文献:章末
分類記号	549.8
件名	半導体／電子材料／分析化学
内容紹介	半導体・電子材料を用いたナノ構造デバイスの研究開発、不具合診断、製造装置の条件出しなどに用いられる種々の分析法の原理・特徴を解説し、応用・分析例を示す。今後の利用が期待される分析・計測法についても取り上げる。
言語区分	JPN
タイトルコード	1009811694612
目次	1 半導体・電子材料の分析
	1.1 半導体・電子材料分野で用いられる分析法／1.2 半導体・電子材料分野における定量的な分析・計測と標準
	2 誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)
	2.1 ICP-MSの概要／2.2 ICP-MSの原理／2.3 微量金属分析における留意点／2.4 半導体関連材料の分析例／参考文献
	3 誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-AES)
	3.1 ICP-AESの概要／3.2 ICP-AESの原理／3.3 ICP-AESの応用／参考文献
	4 二次イオン質量分析(SIMS)
	4.1 SIMSの概要／4.2 SIMSの原理／4.3 SIMSの応用／参考文献
	5 蛍光X線分析(XRF)
	5.1 XRFの概要／5.2 XRFによる膜厚・組成分析／5.3 全反射蛍光X線分析(TXRF)／参考文献
	6 三次元アトムプローブ(APT)
	6.1 APTの概要／6.2 APTの原理／6.3 局所電極型アトムプローブ／6.4 試料作製方法／6.5 APTの応用例／6.6 おわりに／参考文献
	7 走査電子顕微鏡(SEM)
	7.1 SEMの概要／7.2 SEMの原理／参考文献
	8 測長走査電子顕微鏡(測長SEM)
	8.1 測長SEMの概要／8.2 測長SEMの原理／8.3 測長SEMの応用／8.4 各種基板への対応(マスク・磁気ヘッド)／参考文献
	9 透過電子顕微鏡(TEM)
	9.1 TEMの概要／9.2 TEMの構造と原理／9.3 STEMの原理／9.4 微小領域分析手法／9.5 TEM/STEMの応用／参考文献
	10 走査プローブ顕微鏡(SPM)
	10.1 SPMの概要／10.2 半導体断面における不純物キャリヤー濃度二次元分布評価技術／10.3 SSRMによる断面におけるキャリヤー分布評価手法／10.4 SCM法と半導体微小領域のキャリヤー濃度分析への応用／参考文献
	11 ラザフォード後方散乱分析(RBS)と弾性反跳検出分析(ERDA)
	11.1 RBSとERDAの概要／11.2 RBSとERDAの原理／11.3 RBSとERDAの応用／11.4 HRBS/HERDAの概要／11.5 HRBS/HERDAの原理／11.6 HRBS/HERDAの応用／参考文献
	12 X線反射率
	12.1 X線反射率の概要／12.2 X線反射率の原理／12.3 X線反射率データの解析／12.4 測定装置と測定方法／12.5 X線反射率の応用／参考文献
	13 陽電子消滅
	13.1 陽電子消滅の概要／13.2 陽電子消滅の原理／13.3 陽電子消滅の応用／参考文献
	14 オージェ電子分光法(AES)とX線光電子分光法(XPS)
	14.1 AESとXPSの概要／14.2 AESとXPSの原理と比較／14.3 AESとXPSの応用／14.4 まとめ／参考文献