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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0009526054 | 図書一般 | 549.8/コン09/1 | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
半導体デバイスシリーズ 1 集積ナノデバイス
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人名 |
權田 俊一/編集
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人名ヨミ |
ゴンダ シュンイチ |
出版者・発行者 |
丸善
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出版年月 |
2009.11 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
半導体デバイスシリーズ 1 集積ナノデバイス |
タイトルヨミ |
ハンドウタイ デバイス シリーズ シュウセキ ナノデバイス |
人名 |
權田 俊一/編集
谷口 研二/編集
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人名 |
平本 俊郎/編著
内田 建/著
杉井 信之/著
竹内 潔/著
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人名ヨミ |
ゴンダ シュンイチ タニグチ ケンジ |
人名ヨミ |
ヒラモト トシロウ ウチダ ケン スギイ ノブユキ タケウチ キヨシ |
出版者・発行者 |
丸善
|
出版者・発行者等ヨミ |
マルゼン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2009.11 |
ページ数または枚数・巻数 |
17,227p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥4800 |
ISBN |
978-4-621-08208-9 |
ISBN |
4-621-08208-9 |
注記 |
文献:章末 |
分類記号 |
549.8
|
分類記号 |
549.7
|
件名 |
半導体
|
件名 |
集積回路
/
ナノテクノロジー
|
内容紹介 |
ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法を解説する。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題をまとめたテキスト。 |
著者紹介 |
大阪大学名誉教授。 |
言語区分 |
jpn |
タイトルコード |
1009811249121 |
目次 |
1 序論 |
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1.1 スケーリング則とムーアの法則/1.2 集積ナノデバイスの諸問題/1.3 本書の構成 |
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2 MOSトランジスタの基礎 |
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2.1 MOSトランジスタの構造と動作/2.2 MOSトランジスタの1次近似モデル/2.3 MOS容量(電荷密度と表面電位の関係)/2.4 pn接合付きMOS容量の少数キャリア/2.5 長チャネルトランジスタ/2.6 スケーリング則/2.7 短チャネルトランジスタ/2.8 MOSトランジスタにおける量子効果/2.9 まとめ |
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3 微細トランジスタの性能向上 |
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3.1 極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ/3.2 移動度向上技術(ひずみSi,新チャネル材料)/コラム1 3次元構造トランジスタの分類/コラム2 インテルのひずみSi技術について |
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4 微細化・集積化にともなう諸問題 |
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4.1 スケーリングによる微細化とその課題/4.2 微細MOSFETの信頼性/4.3 ソフトエラー/4.4 微細トランジスタのばらつき |
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5 将来展望 |
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5.1 将来に向けての技術動向/5.2 集積ナノデバイスマップ/5.3 将来の集積ナノデバイス候補/5.4 集積ナノデバイスのビジョンマップ |
目次
内容細目
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