書誌種別 |
図書 |
タイトル |
基礎から学ぶ半導体電子デバイス |
タイトルヨミ |
キソ カラ マナブ ハンドウタイ デンシ デバイス |
人名 |
大谷 直毅/著
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人名ヨミ |
オオタニ ナオキ |
出版者・発行者 |
森北出版
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出版者・発行者等ヨミ |
モリキタ シュッパン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2019.10 |
ページ数または枚数・巻数 |
9,177p |
大きさ |
22cm |
価格 |
¥2500 |
ISBN |
978-4-627-77621-0 |
ISBN |
4-627-77621-0 |
分類記号 |
549.8
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件名 |
半導体
/
集積回路
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内容紹介 |
半導体の概念からデバイスの基本動作までを丁寧に解説。物理現象を順を追って平易に説明しているので、ミクロな現象の本質を定性的に理解できる。数式の展開を丁寧にするとともに、省略されがちな内容を付録にまとめる。 |
著者紹介 |
北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了。博士(工学)。同志社大学理工学部教授。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009812346989 |
目次 |
Chapter 1 半導体の基礎 |
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1.1 炭素の同素体:ダイヤモンドとグラファイト/1.2 半導体の定義/1.3 結晶構造とエネルギーバンドモデル/1.4 真性半導体と不純物半導体/演習問題 |
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Chapter 2 半導体中のキャリア密度 |
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2.1 真性半導体のキャリア密度/2.2 不純物半導体のキャリア密度/2.3 真性キャリア密度/2.4 絶縁体,半導体,導体のエネルギーバンド/2.5 キャリア密度の温度依存性/演習問題 |
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Chapter 3 半導体中のキャリア輸送現象 |
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3.1 熱平衡状態におけるキャリアの様子/3.2 キャリアのドリフトと移動度/3.3 ホール効果/3.4 拡散電流/3.5 移動度と拡散係数の関係/3.6 キャリアの生成と再結合/3.7 連続の式/3.8 高電界効果/演習問題 |
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Chapter 4 pn接合ダイオード |
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4.1 階段接合の空乏層,内蔵電位の形成/4.2 片側階段接合/4.3 空乏層容量/4.4 理想電流-電圧特性/4.5 キャリアの蓄積と過渡応答/演習問題 |
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Chapter 5 金属と半導体の接合による整流特性 |
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5.1 金属とn型半導体の接合/5.2 金属とp型半導体の接合/5.3 ショットキー接合の場合の電流-電圧特性/5.4 空乏層容量-電圧特性から不純物濃度を求める/演習問題 |
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Chapter 6 バイポーラトランジスタ |
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6.1 バイポーラトランジスタの構造/6.2 トランジスタの動作原理:活性モードの場合/6.3 活性モードにおけるコレクタ電流の決定/6.4 四つの動作モード/6.5 エミッタ接地/6.6 バイポーラトランジスタの周波数特性/6.7 スイッチング過渡特性/6.8 サイリスタ/演習問題 |
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Chapter 7 接合型電界効果トランジスタ |
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7.1 FETの基本的な考え方/7.2 JFETの動作原理/7.3 JFETの直流特性/7.4 JFETの直流ドレイン特性の計算/7.5 小信号等価回路/演習問題 |
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Chapter 8 MOSダイオード |
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8.1 MOSダイオードの熱平衡状態におけるエネルギーバンド構造/8.2 ゲート電圧によるエネルギーバンドおよびキャリア密度の変化/8.3 小信号電圧に対するMOSダイオードの静電容量/8.4 フラットバンド電圧/演習問題 |
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Chapter 9 MOSFET |
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9.1 MOSFETの直流特性/9.2 小信号等価回路と周波数特性/9.3 ゲート電圧依存性の制御/演習問題 |
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Chapter 10 MOS集積回路 |
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10.1 インバータ回路/10.2 MOSFET縮小則/演習問題 |
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Chapter 11 MESFET |
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11.1 MESFETの素子構造/11.2 MESFETの動作原理/11.3 MESFETの電流-電圧特性の計算/11.4 MESFETの周波数応答/演習問題 |
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付録A エネルギーバンド構造について |
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A.1 定性的な考え方/A.2 クローニッヒ・ペニーモデル:量子井戸 |
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付録B 状態密度の計算方法 |
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付録C 有効質量の概念,直接遷移型と間接遷移型半導体 |
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C.1 有効質量の概念/C.2 直接遷移型と間接遷移型半導体 |
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付録D 価電子帯のエネルギーと正孔の概念 |
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付録E ヘテロ接合,トンネル効果,半導体超格子 |
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E.1 ヘテロ接合/E.2 トンネル効果/E.3 半導体超格子 |
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付録F ショットキー接合の電流-電圧特性 |
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付録G バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足 |
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G.1 Hパラメータの表記/G.2 高周波特性の計算 |