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1 0014537492図書一般549.95/スエ18/2F自然貸出可 

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書誌情報サマリ

タイトル

光デバイス入門

人名 末益 崇/著
人名ヨミ スエマス タカシ
出版者・発行者 コロナ社
出版年月 2018.5


書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル 光デバイス入門
サブタイトル pn接合ダイオードと光デバイス
タイトルヨミ ヒカリ デバイス ニュウモン
サブタイトルヨミ ピーエヌ セツゴウ ダイオード ト ヒカリ デバイス
人名 末益 崇/著
人名ヨミ スエマス タカシ
出版者・発行者 コロナ社
出版者・発行者等ヨミ コロナシャ
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2018.5
ページ数または枚数・巻数 8,180p
大きさ 21cm
価格 ¥2500
ISBN 978-4-339-00910-1
ISBN 4-339-00910-1
注記 文献:p174〜176
分類記号 549.95
件名 オプトエレクトロニクス
内容紹介 固体物理学を習い始めた学生に向けて、固体物理をベースに光デバイスの基礎を解説したテキスト。pn接合ダイオード、太陽電池、化合物半導体、発光ダイオード、レーザダイオードなどを取り上げる。各章に章末問題も掲載。
著者紹介 東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了(電気電子工学専攻)。博士(工学)。筑波大学教授。
言語区分 JPN
タイトルコード 1009812209150
目次 1.結晶構造とエネルギーバンド構造
1.1 はじめに/1.2 結晶系と空間格子/1.3 半導体の結晶構造(Si,GaAsを例に)/1.4 エネルギーバンド構造/1.5 k空間/1.6 エネルギーバンドとは/章末問題
2.半導体物性の基礎
2.1 はじめに/2.2 真性半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布/2.3 不純物ドープ半導体のキャリヤ密度・キャリヤ密度のエネルギー分布/2.4 光学遷移の基本形/2.5 キャリヤ再結合および生成の過程/2.6 キャリヤ輸送/2.7 欠陥/2.8 ホール効果/章末問題
3.pn接合ダイオード
3.1 はじめに/3.2 空乏層幅と内蔵電位/3.3 空乏層容量/3.4 電流連続の式/3.5 暗状態の電流電圧特性/3.6 半導体ヘテロ接合/3.7 金属-半導体接合/3.8 完全空乏近似の妥当性について/章末問題
4.光検出素子の基礎
4.1 はじめに/4.2 光吸収係数とキャリヤ生成割合/4.3 動作モードについて/4.4 応答速度/4.5 雑音/章末問題
5.太陽電池
5.1 はじめに/5.2 太陽光のスペクトル/5.3 光生成キャリヤの輸送メカニズム/5.4 光電流密度/5.5 光照射下のキャリヤ密度分布と電流電圧特性/5.6 表面再結合/5.7 先端技術の導入によるエネルギー変換効率向上の歴史/5.8 結晶Si太陽電池エネルギー変換効率向上の歴史/章末問題
6.化合物半導体
6.1 はじめに/6.2 種類について/6.3 化合物半導体の禁制帯幅と格子定数/6.4 半導体積層構造の結晶成長方法/章末問題
7.発光ダイオード
7.1 はじめに/7.2 半導体で自然放出を実現するには/7.3 ホモ接合ダイオードからダブルヘテロ接合ダイオードへ/7.4 静特性と動特性/章末問題
8.レーザダイオード(LD)
8.1 はじめに/8.2 LDの基本構造/8.3 導波モードについて/8.4 LDの動作原理/8.5 レーザ発振の条件/8.6 単一モードレーザ/8.7 活性層の低次元化/8.8 静特性と動特性/章末問題



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内容細目

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