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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0014784656 | 図書一般 | 549.7/コハ19/ | 書庫 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
集積回路のための半導体デバイス工学
|
人名 |
小林 清輝/著
|
人名ヨミ |
コバヤシ キヨテル |
出版者・発行者 |
コロナ社
|
出版年月 |
2018.4 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
集積回路のための半導体デバイス工学 |
並列タイトル |
Semiconductor Device Engineering for Integrated Circuits |
タイトルヨミ |
シュウセキ カイロ ノ タメ ノ ハンドウタイ デバイス コウガク |
人名 |
小林 清輝/著
|
人名ヨミ |
コバヤシ キヨテル |
出版者・発行者 |
コロナ社
|
出版者・発行者等ヨミ |
コロナシャ |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2018.4 |
ページ数または枚数・巻数 |
8,186p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥2500 |
ISBN |
978-4-339-00909-5 |
ISBN |
4-339-00909-5 |
注記 |
文献:章末 |
分類記号 |
549.7
|
件名 |
集積回路
/
シリコン(半導体)
|
内容紹介 |
「シリコンを使ったMOS集積回路」について初めて学ぶ人のための教科書。電気電子・情報通信分野の大学生等を対象に、固体電子論の基礎から、MOSFETの動作原理、LSI製造プロセス、LSIの構成と動作までを解説。 |
著者紹介 |
名古屋大学大学院工学研究科博士前期課程修了(応用物理学専攻)。博士(工学)。東海大学教授。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009812200322 |
目次 |
1章 集積回路の微細化が進められた理由 |
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1.1 なぜ集積回路を微細化するのか/1.2 集積回路の微細化と性能の推移/1.3 近年のLSI/1.4 集積回路の種類と用途/演習問題/引用・参考文献 |
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2章 固体電子論の基礎 |
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2.1 自由電子の波動関数/2.2 シリコンの結晶構造/2.3 逆格子/2.4 結晶の中の電子の波動関数/2.5 エネルギーバンド/2.6 金属,絶縁体,半導体のエネルギーバンド/演習問題/引用・参考文献 |
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3章 半導体中のキャリヤ |
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3.1 真性半導体/3.2 真性半導体の伝導電子密度と正孔密度/3.3 真性フェルミ準位/3.4 有効質量/3.5 正孔/3.6 不純物半導体/3.7 キャリヤ密度とフェルミ準位/3.8 キャリヤのドリフトと移動度/3.9 キャリヤの拡散/演習問題/引用・参考文献 |
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4章 MOSFETの動作原理 |
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4.1 MOS構造/4.2 空乏近似/4.3 ポアソン方程式の厳密な解/4.4 フラットバンド電圧/4.5 MOSFETの動作/4.6 線形領域と飽和領域のドレイン電流/4.7 MOSFETの種類/4.8 CMOSインバータ/4.9 比例縮小則/4.10 MOSFETにおける短チャネル効果/演習問題/引用・参考文献 |
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5章 LSI製造プロセス |
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5.1 LSIができるまでの流れ/5.2 製造プロセスのフロー/5.3 要素プロセス技術/5.4 LSIのプロセスフロー(CMOSインバータ)/5.5 MOSFET高性能化技術の進展/5.6 銅配線/5.7 シリコン結晶/演習問題/引用・参考文献 |
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6章 LSIの構成と動作 |
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6.1 DRAMの動作/6.2 SRAMの動作/6.3 NOR型フラッシュメモリの構造と動作/6.4 NAND型フラッシュメモリの構造と動作/演習問題/引用・参考文献 |
目次
内容細目
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