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資料の状態
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| No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
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| 1 |
0013224043 | 図書一般 | 549.8/ｼﾗ15/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
| タイトル |
シリコン半導体
|
| 人名 |
白木 靖寛／著
|
| 人名ヨミ |
シラキ ヤスヒロ |
| 出版者・発行者 |
内田老鶴圃
|
| 出版年月 |
2015.10 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| 書誌種別 |
図書 |
| タイトル |
シリコン半導体 |
| サブタイトル |
その物性とデバイスの基礎 |
| シリーズ名 |
物質・材料テキストシリーズ |
| タイトルヨミ |
シリコン ハンドウタイ |
| サブタイトルヨミ |
ソノ ブッセイ ト デバイス ノ キソ |
| シリーズ名ヨミ |
ブッシツ ザイリョウ テキスト シリーズ |
| 人名 |
白木 靖寛／著
|
| 人名ヨミ |
シラキ ヤスヒロ |
| 出版者・発行者 |
内田老鶴圃
|
| 出版者・発行者等ヨミ |
ウチダ ロウカクホ |
| 出版地・発行地 |
東京 |
| 出版・発行年月 |
2015.10 |
| ページ数または枚数・巻数 |
9,249p |
| 大きさ |
21cm |
| 価格 |
￥３９００ |
| ISBN |
978-4-7536-2303-7 |
| ISBN |
4-7536-2303-7 |
| 注記 |
文献:p233 |
| 分類記号 |
549.8
|
| 件名 |
シリコン(半導体)
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| 内容紹介 |
現代社会において、極めて重要な材料でありデバイスである、シリコン半導体を学ぶ入門書。シリコンの結晶構造、電気伝導、MOS構造、シリコンフォトニクスなど、半導体に関するほとんどの重要事項を網羅する。 |
| 言語区分 |
JPN |
| タイトルコード |
1009811954889 |
| 目次 |
第1章 はじめに |
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1-1 情報化社会と半導体／1-2 半導体産業とノーベル賞／1-3 半導体とその種類／1-4 半導体デバイスの種類 |
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第2章 シリコン原子 |
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2-1 シリコン元素／2-2 原子の量子論 |
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第3章 固体シリコン |
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3-1 混成軌道と結合／3-2 固体シリコンの形態 |
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第4章 シリコンの結晶構造 |
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4-1 ダイヤモンド構造／4-2 結晶面と結晶軸／4-3 格子欠陥／4-4 格子振動 |
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第5章 半導体のエネルギー帯構造 |
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5-1 絶縁体と金属および半導体／5-2 不純物半導体／5-3 自由電子模型と有効質量 |
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第6章 状態密度とキャリア分布 |
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6-1 状態密度／6-2 フェルミ分布／6-3 キャリア分布と温度依存性 |
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第7章 電気伝導 |
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7-1 電気伝導度と移動度／7-2 キャリアの散乱機構／7-3 拡散電流とアインシュタインの関係式／7-4 飽和速度／7-5 空間電荷とポアソンの方程式／7-6 ホール効果／7-7 磁気抵抗効果／7-8 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの電気伝導／7-9 キャリアの再結合 |
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第8章 シリコン結晶作製とドーピング |
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8-1 シリコン単結晶の作製方法／8-2 エピタキシャル成長／8-3 多結晶シリコンとアモルファスシリコンの作製方法／8-4 結晶成長機構／8-5 SOI基板の作製／8-6 不純物のドーピング |
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第9章 pn接合とショットキー接合 |
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9-1 pn接合／9-2 ショットキー接合 |
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第10章 ヘテロ構造 |
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10-1 ヘテロ接合の種類／10-2 量子井戸と超格子／10-3 シリコンゲルマニウムヘテロ構造 |
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第11章 MOS構造 |
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11-1 MOS構造の形成とエネルギー帯構造／11-2 MOS構造のバイアス依存性／11-3 表面ポテンシャルとMOS容量／11-4 表面準位と界面準位 |
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第12章 MOSトランジスタ(MOSFET) |
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12-1 MOSトランジスタの構造と動作原理／12-2 MOSFETの電流-電圧特性／12-3 MOSFETの周波数特性とスイッチング速度／12-4 MESFETとHEMT／12-5 2次元電子ガスと量子化／12-6 MOSFETの移動度 |
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第13章 バイポーラトランジスタ |
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13-1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理／13-2 バイポーラトランジスタの電流-電圧特性／13-3 バイポーラトランジスタの高速性／13-4 ヘテロバイポーラトランジスタ |
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第14章 集積回路(LSI) |
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14-1 集積回路の種類／14-2 メモリLSI／14-3 ロジックLSI／14-4 MOSFETのスケーリング則／14-5 シリコンLSIの製造工程 |
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第15章 シリコンパワーデバイス |
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15-1 pnpn構造(サイリスタ)／15-2 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
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第16章 シリコンフォトニクス |
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16-1 光の吸収と発光／16-2 直接遷移型と間接遷移型／16-3 シリコンの光吸収と発光／16-4 受光デバイス／16-5 光回路素子 |
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第17章 シリコン薄膜デバイス |
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17-1 薄膜トランジスタ(TFT)／17-2 薄膜太陽電池 |
目次
内容細目
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