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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0012920625 | 図書一般 | 549.8/スカ15/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
|
人名 |
菅沼 克昭/編著
|
人名ヨミ |
スガヌマ カツアキ |
出版者・発行者 |
日刊工業新聞社
|
出版年月 |
2014.12 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術 |
タイトルヨミ |
エスアイシー ジーエーエヌ パワー ハンドウタイ ノ ジッソウ ト シンライセイ ヒョウカ ギジュツ |
人名 |
菅沼 克昭/編著
|
人名ヨミ |
スガヌマ カツアキ |
出版者・発行者 |
日刊工業新聞社
|
出版者・発行者等ヨミ |
ニッカン コウギョウ シンブンシャ |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2014.12 |
ページ数または枚数・巻数 |
247p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥3600 |
ISBN |
978-4-526-07339-7 |
ISBN |
4-526-07339-7 |
分類記号 |
549.8
|
件名 |
半導体
/
パワーエレクトロニクス
/
信頼性(工学)
|
内容紹介 |
省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。 |
著者紹介 |
東北大学工学系大学院原子核工学専攻博士課程修了。大阪大学産業科学研究所教授。専門は実装工学、材料工学。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009811861096 |
目次
内容細目
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