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1 0012920625図書一般549.8/スカ15/2F自然貸出可 

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書誌情報サマリ

タイトル

SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術

人名 菅沼 克昭/編著
人名ヨミ スガヌマ カツアキ
出版者・発行者 日刊工業新聞社
出版年月 2014.12


書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
タイトルヨミ エスアイシー ジーエーエヌ パワー ハンドウタイ ノ ジッソウ ト シンライセイ ヒョウカ ギジュツ
人名 菅沼 克昭/編著
人名ヨミ スガヌマ カツアキ
出版者・発行者 日刊工業新聞社
出版者・発行者等ヨミ ニッカン コウギョウ シンブンシャ
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2014.12
ページ数または枚数・巻数 247p
大きさ 21cm
価格 ¥3600
ISBN 978-4-526-07339-7
ISBN 4-526-07339-7
分類記号 549.8
件名 半導体パワーエレクトロニクス信頼性(工学)
内容紹介 省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。
著者紹介 東北大学工学系大学院原子核工学専攻博士課程修了。大阪大学産業科学研究所教授。専門は実装工学、材料工学。
言語区分 JPN
タイトルコード 1009811861096



目次


内容細目

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549.8 549.8
半導体 パワーエレクトロニクス 信頼性(工学)
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