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1 0012686655図書一般549.8/ﾏｴ15/2F自然貸出可  ○

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書誌情報サマリ

タイトル

シリサイド系半導体の科学と技術

人名 前田 佳均／編著
人名ヨミ マエダ ヨシヒト
出版者・発行者 裳華房
出版年月 2014.9

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル シリサイド系半導体の科学と技術
サブタイトル 資源・環境時代の新しい半導体と関連物質
タイトルヨミ シリサイドケイ ハンドウタイ ノ カガク ト ギジュツ
サブタイトルヨミ シゲン カンキョウ ジダイ ノ アタラシイ ハンドウタイ ト カンレン ブッシツ
人名 前田 佳均／編著
人名ヨミ マエダ ヨシヒト
出版者・発行者 裳華房
出版者・発行者等ヨミ ショウカボウ
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2014.9
ページ数または枚数・巻数 16,324p
大きさ 22cm
価格 ￥５０００
ISBN 978-4-7853-2920-4
ISBN 4-7853-2920-4
注記 文献:項末
分類記号 549.8
件名 半導体
内容紹介 シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、そして発光素子、太陽電池、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究などについて解説する。
言語区分 JPN
タイトルコード 1009811834974
目次 第1章 シリサイド系半導体の基礎
1.1 シリサイド系半導体の電子構造と物性／1.2 シリサイド系半導体
第2章 結晶成長技術
2.1 溶液からの結晶成長／2.2 気相からの結晶成長／2.3 高純度素材の開発
第3章 薄膜形成技術
3.1 反応性エピタキシャル成長／3.2 分子線エピタキシャル成長／3.3 化学気相成長法／3.4 パルスレーザー堆積法／3.5 スパッタリング成膜法／3.6 イオンビームスパッタ成長法／3.7 シリサイド系半導体ナノ構造／3.8 イオンビーム合成法
第4章 構造解析
4.1 電子顕微鏡観察／4.2 X線回折法／4.3 ラザフォード後方散乱分光法
第5章 鉄シリサイドの物性
5.1 電気物性／5.2 バルク結晶の光学特性／5.3 薄膜の光学特性／5.4 フォノン物性／5.5 熱電特性／5.6 鉄系ホイスラー合金の磁性
第6章 新しいシリサイドの合成と物性
6.1 Siクラスレートの合成と物性／6.2 ナトリウムを利用した遷移金属シリサイドの合成／6.3 BaSi2の合成と物性／6.4 SrSi2の合成と物性
第7章 シリサイド系半導体の応用
7.1 シリサイド発光素子／7.2 シリサイド太陽電池／7.3 シリサイドオプティクス／7.4 シリサイド・フォトニック結晶／7.5 シリサイド・スピントロニクス



目次


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