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資料の状態
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| No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
| 1 |
0012686648 | 図書一般 | 549.8/ｼﾊ15/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
| タイトル |
半導体デバイス入門
|
| 人名 |
柴田 直／著
|
| 人名ヨミ |
シバタ タダシ |
| 出版者・発行者 |
数理工学社
|
| 出版年月 |
2014.9 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| 書誌種別 |
図書 |
| タイトル |
半導体デバイス入門 |
| サブタイトル |
その原理と動作のしくみ |
| シリーズ名 |
新・電子システム工学 |
| シリーズ番号 |
TKR-6 |
| タイトルヨミ |
ハンドウタイ デバイス ニュウモン |
| サブタイトルヨミ |
ソノ ゲンリ ト ドウサ ノ シクミ |
| シリーズ名ヨミ |
シン デンシ システム コウガク |
| シリーズ番号ヨミ |
6 |
| 人名 |
柴田 直／著
|
| 人名ヨミ |
シバタ タダシ |
| 出版者・発行者 |
数理工学社
／
サイエンス社(発売)
|
| 出版者・発行者等ヨミ |
スウリ コウガクシャ／サイエンスシャ |
| 出版地・発行地 |
東京／東京 |
| 出版・発行年月 |
2014.9 |
| ページ数または枚数・巻数 |
12,272p |
| 大きさ |
22cm |
| 価格 |
￥２６００ |
| ISBN |
978-4-86481-018-0 |
| ISBN |
4-86481-018-0 |
| 注記 |
昭晃堂 2011年刊の改訂 |
| 注記 |
文献:p266 |
| 分類記号 |
549.8
|
| 件名 |
半導体
|
| 内容紹介 |
半導体デバイスの動作原理を、基礎から最先端の研究・開発に必要な知識までしっかりと習得できるように丁寧に解説。図表を多数掲載し、章末問題も収録する。 |
| 言語区分 |
JPN |
| タイトルコード |
1009811834931 |
| 目次 |
第1章 デバイスの概念 |
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1.1 デバイスとは何か／1.2 真空電子デバイス／1.3 3端子デバイスによる信号増幅／1.4 なぜ半導体デバイスか |
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第2章 結晶中の電子の振る舞い |
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2.1 波の性質を持つ電子／2.2 バンドを作る電子／2.3 金属の中の電子の振る舞い／2.4 ボンドを作る電子／2章の問題 |
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第3章 半導体中の電子とホール |
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3.1 フェルミ-ディラックの分布関数／3.2 N型とP型の半導体／3.3 半導体中のキャリア濃度／3章の問題 |
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第4章 半導体中の電気伝導 |
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4.1 電流連続の式／4.2 半導体中を流れる電流／4.3 アインシュタインの関係式／4.4 ショックレー-リード-ホールの理論／4章の問題 |
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第5章 PN接合 |
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5.1 P型半導体とN型半導体を接合する／5.2 階段型PN接合／5.3 線形傾斜型接合／5.4 空乏層中におけるキャリア濃度／5.5 理想ダイオードの電流電圧特性／5.6 実際のダイオードの電流電圧特性／5.7 薄いベース層を持つPN接合ダイオード／5.8 ダイオードのパルス応答／5章の問題 |
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第6章 金属と半導体の接合 |
|
6.1 理想的な界面を持つ金属と半導体の接合／6.2 ショットキー障壁の高さ／6.3 ショットキーダイオードの電流電圧特性／6.4 金属と半導体のオーミックコンタクト／6章の問題 |
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第7章 バイポーラトランジスタ |
|
7.1 増幅機能を持つデバイス／7.2 電流制御デバイスとしてのバイポーラトランジスタ／7.3 電流電圧特性／7.4 実際のバイポーラトランジスタ構造と特性の変化／7.5 高周波に対する応答／7章の問題 |
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第8章 MOSトランジスタ |
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8.1 MOSトランジスタの動作原理／8.2 MOS構造の解析／8.3 MOSトランジスタの電流電圧特性／8.4 簡略化した電流電圧特性／8.5 基板バイアス効果／8.6 サブスレッショールド特性／8.7 MOSキャパシタのC-V特性／8.8 MOSトランジスタ各部の容量／8.9 MOSトランジスタの微細化／8章の問題 |
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第9章 パワー半導体デバイスの考え方 |
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9.1 パワーデバイスに求められる機能／9.2 PNPN構造／9.3 IGBT／9章の問題 |
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付録 |
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A.1 空間電荷制限電流／A.2 ベース不純物に濃度分布がある場合のガンメル数／A.3 拡散方程式を解いてバイポーラトランジスタの特性を求める／A.4 MOS製造プロセスの概要／A.5 参考データ |
目次
内容細目
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