蔵書情報
この資料の蔵書に関する統計情報です。現在の所蔵数 在庫数 予約数などを確認できます。
資料の状態
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0012229795 | 図書一般 | 549.6/リ14/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
この資料に対する操作
カートに入れる を押すと この資料を 予約する候補として予約カートに追加します。
いますぐ予約する を押すと 認証後この資料をすぐに予約します。
この資料に対する操作
電子書籍を読むを押すと 電子図書館に移動しこの資料の電子書籍を読むことができます。
書誌情報サマリ
タイトル |
図で見てわかるパワーMOSFET<技術と回路>入門
|
人名 |
李 【キョン】烈/著
|
人名ヨミ |
リ ケイレツ |
出版者・発行者 |
日刊工業新聞社
|
出版年月 |
2013.12 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
図で見てわかるパワーMOSFET<技術と回路>入門 |
タイトルヨミ |
ズ デ ミテ ワカル パワー モス エフイーティー ギジュツ ト カイロ ニュウモン |
人名 |
李 【キョン】烈/著
|
人名ヨミ |
リ ケイレツ |
出版者・発行者 |
日刊工業新聞社
|
出版者・発行者等ヨミ |
ニッカン コウギョウ シンブンシャ |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2013.12 |
ページ数または枚数・巻数 |
6,153p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥2200 |
ISBN |
978-4-526-07172-0 |
ISBN |
4-526-07172-0 |
注記 |
文献:p148 |
分類記号 |
549.6
|
件名 |
トランジスター
/
パワーエレクトロニクス
|
内容紹介 |
半導体物質で作られる電子デバイス・MOSFET。半導体の基礎やMOSFETの構造及び動作原理について詳しく解説し、各特性パラメータに関してもMOSFETの構造的な特性をベースに分析し説明。応用例も取り上げる。 |
著者紹介 |
韓国外国語大学校卒業。インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社(日本東京):アプリケーションエンジニア。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009811740880 |
目次
内容細目
関連資料
この資料に関連する資料を 同じ著者 出版年 分類 件名 受賞などの切り口でご紹介します。
トランジスター パワーエレクトロニクス
もどる