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1 0011488830図書一般549.8/ｵｵ12/2F自然貸出可  ○

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書誌情報サマリ

タイトル

半導体デバイス工学

人名 大村 泰久／編著
人名ヨミ オオムラ ヤスヒサ
出版者・発行者 オーム社
出版年月 2012.9

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル 半導体デバイス工学
シリーズ名 OHM大学テキスト
タイトルヨミ ハンドウタイ デバイス コウガク
シリーズ名ヨミ オーム ダイガク テキスト
人名 大村 泰久／編著
人名ヨミ オオムラ ヤスヒサ
出版者・発行者 オーム社
出版者・発行者等ヨミ オームシャ
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2012.9
ページ数または枚数・巻数 6,213p
大きさ 21cm
価格 ￥２６００
ISBN 978-4-274-21255-0
ISBN 4-274-21255-0
注記 文献:p206〜208
分類記号 549.8
件名 半導体
内容紹介 大学の講義に最適な半導体デバイス工学の教科書。半導体結晶とエネルギー帯構造、金属と半導体の接合、MOSFETの動作原理、電力制御半導体デバイス、これからの半導体デバイスまでをやさしく解説する。演習問題付き。
著者紹介 九州大学大学院工学研究科応用物理学専攻修士課程修了。工学博士・九州大学。関西大学大学院理工学研究科システムデザイン専攻教授。
言語区分 JPN
タイトルコード 1009811596276
目次 1章 半導体結晶とエネルギー帯構造
1・1 半導体結晶／1・2 半導体のエネルギー帯構造とキャリヤの発生／1・3 真性キャリヤ濃度／1・4 ドーピング／演習問題
2章 半導体のキャリヤと電気伝導
2・1 半導体中のキャリヤの運動／2・2 キャリヤの拡散とドリフト／2・3 キャリヤの生成と消滅／2・4 半導体中の電気伝導を記述する基本方程式／演習問題
3章 pn接合の電流-電圧特性と接合容量
3・1 pn接合の概要／3・2 pn接合のエネルギー帯構造／3・3 pn接合の直流特性／3・4 pn接合の容量特性／演習問題
4章 金属と半導体の接合
4・1 仕事関数／4・2 ショットキー接合／4・3 オーミック接合／演習問題
5章 バイポーラトランジスタの動作原理
5・1 デバイス構造／5・2 動作原理／5・3 動作パラメータ／5・4 バイポーラトランジスタ回路／演習問題
6章 金属-絶縁体-半導体(MIS)構造
6・1 理想的なMOS構造における界面電荷応答の原理／6・2 理想的なMOS構造における電気容量特性／演習問題
7章 MOSFETの動作原理
7・1 MOSFETの動作と特徴-オン状態-／7・2 MOSFETの動作と特徴-オフ状態-／演習問題
8章 MOSFETの微細化の歴史と集積回路の発展
8・1 MOSFETの微細化の目的とスケーリングの考え方／8・2 高電界現象とホット・キャリヤによる特性劣化／演習問題
9章 化合物半導体デバイス
9・1 化合物半導体の利用／9・2 MESFET／9・3 高電子移動度トランジスタ／9・4 その他の化合物半導体デバイス／演習問題
10章 薄膜トランジスタ
10・1 デバイス構造／10・2 動作原理／10・3 材料と作製方法／演習問題
11章 半導体の光学特性
11・1 半導体と光の相互作用／11・2 半導体の光吸収／11・3 励起子による光吸収／11・4 光導電性／11・5 半導体の発光／11・6 半導体量子井戸構造／演習問題
12章 受光デバイス
12・1 光のエネルギー／12・2 固体撮像素子／12・3 太陽電池／演習問題
13章 発光デバイス
13・1 直接遷移と間接遷移／13・2 放出と吸収／13・3 発光ダイオード／13・4 半導体レーザ／演習問題
14章 電力制御半導体デバイス
14・1 パワーデバイスとその特徴／14・2 pinダイオード／14・3 パワーMOSFET／14・4 IGBT／14・5 ワイド・バンドギャップ・パワーデバイス／演習問題
15章 これからの半導体デバイス
15・1 集積回路の課題と解決に向けた動向／15・2 新しい材料,動作原理を用いたデバイス／15・3 半導体デバイスの今後の発展／演習問題



目次


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