書誌種別 |
図書 |
タイトル |
半導体LSI技術 |
シリーズ名 |
未来へつなぐデジタルシリーズ |
シリーズ番号 |
7 |
タイトルヨミ |
ハンドウタイ エルエスアイ ギジュツ |
シリーズ名ヨミ |
ミライ エ ツナグ デジタル シリーズ |
シリーズ番号ヨミ |
7 |
人名 |
牧野 博之/著
益子 洋治/著
山本 秀和/著
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人名ヨミ |
マキノ ヒロシ マシコ ヨウジ ヤマモト ヒデカズ |
出版者・発行者 |
共立出版
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出版者・発行者等ヨミ |
キョウリツ シュッパン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2012.3 |
ページ数または枚数・巻数 |
9,287p |
大きさ |
26cm |
価格 |
¥2800 |
ISBN |
978-4-320-12307-6 |
ISBN |
4-320-12307-6 |
分類記号 |
549.7
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件名 |
集積回路
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内容紹介 |
物性や素子の基礎から、大規模集積回路の設計および製造に至るまで、半導体LSI技術全体を網羅したテキスト。主要な技術ごとに、最新技術や将来動向を交えながら簡潔に説明する。 |
著者紹介 |
大阪工業大学情報科学部コンピュータ学科准教授。博士(工学)(東京大学)。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009811528146 |
目次 |
第1章 LSIとはなにか |
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1.1 LSIとは/1.2 LSIの歴史と発展/1.3 スケーリング則/1.4 LSIの分類/1.5 LSIの利用分野 |
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第2章 半導体の物性 |
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2.1 半導体とは/2.2 原子構造/2.3 化学結合と結晶/2.4 エネルギーバンド構造/2.5 半導体中のキャリア/2.6 半導体中の電気伝導 |
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第3章 半導体デバイス |
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3.1 半導体デバイスとは/3.2 pn接合とpn接合ダイオード/3.3 バイポーラトランジスタ/3.4 ショットキー接触とショットキーダイオード/3.5 MOS構造とMOS型FET |
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第4章 CMOSデジタル回路 |
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4.1 CMOSデジタル回路とは/4.2 MOSトランジスタの構造と表記/4.3 MOSトランジスタの電気特性/4.4 CMOSインバータの動作/4.5 CMOS論理ゲートの構成 |
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第5章 CMOS論理設計 |
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5.1 CMOS論理設計とは/5.2 組合せ回路の設計/5.3 順序回路の設計 |
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第6章 LSI設計フロー |
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6.1 LSI設計フローとは/6.2 LSI設計フローと各工程の内容/6.3 セルライブラリ/6.4 RTL設計 |
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第7章 レイアウト設計 |
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7.1 レイアウト設計とは/7.2 レイアウトの基礎/7.3 配置配線/7.4 タイミング検証 |
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第8章 LSIの性能 |
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8.1 LSIの性能/8.2 CMOS回路の動作速度/8.3 CMOS回路の消費電力 |
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第9章 LSIの製造 |
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9.1 LSIの製造と産業について/9.2 LSIデバイスの構造/9.3 LSI製造の流れ |
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第10章 シリコンウェーハ製造技術 |
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10.1 シリコンウェーハとは/10.2 単結晶シリコン結晶育成/10.3 ウェーハ加工/10.4 シリコンウェーハの種類/10.5 ウェーハ仕様/10.6 ゲッタリング技術 |
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第11章 微細パターン形成技術 |
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11.1 フォトマスク作製技術/11.2 リソグラフィ技術/11.3 エッチング技術/11.4 洗浄技術 |
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第12章 トランジスタ形成技術 |
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12.1 トランジスタの構造/12.2 接合形成技術/12.3 ゲート絶縁膜および成膜技術/12.4 ゲート電極形成技術 |
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第13章 配線形成技術 |
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13.1 LSIにおける配線形成/13.2 配線構造とデバイス性能/13.3 配線形成プロセスとダマシンプロセス/13.4 金属膜形成技術/13.5 CMP技術/13.6 層間絶縁膜と形成技術 |
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第14章 パッケージング技術 |
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14.1 実装とパッケージング技術について/14.2 ウェーハからパッケージングまで/14.3 パッケージの種類と進化/14.4 マルチチップパッケージとSiPそして3次元実装へ |
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第15章 計測・検査・評価技術とクリーン化技術 |
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15.1 LSIの製造における歩留り向上と製造管理/15.2 クリーン化技術 |