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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0011046315 | 図書一般 | 549.8/ヤマ12/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
パワーデバイス
|
人名 |
山本 秀和/著
|
人名ヨミ |
ヤマモト ヒデカズ |
出版者・発行者 |
コロナ社
|
出版年月 |
2012.2 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
パワーデバイス |
並列タイトル |
Power Devices |
タイトルヨミ |
パワー デバイス |
人名 |
山本 秀和/著
|
人名ヨミ |
ヤマモト ヒデカズ |
出版者・発行者 |
コロナ社
|
出版者・発行者等ヨミ |
コロナシャ |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2012.2 |
ページ数または枚数・巻数 |
8,180p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥2500 |
ISBN |
978-4-339-00831-9 |
ISBN |
4-339-00831-9 |
注記 |
文献:p175 |
分類記号 |
549.8
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件名 |
半導体
/
パワーエレクトロニクス
|
内容紹介 |
パワーデバイスそのものに特化した入門書。半導体およびデバイスの基礎は最小限にとどめ、パワーデバイスの構造および特性とパワーデバイス特有の製造プロセスを詳しく解説する。 |
著者紹介 |
北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了(電気工学専攻)。工学博士。三菱電機株式会社勤務を経て、千葉工業大学教授。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009811510499 |
目次 |
1.パワーデバイスの概要 |
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1.1 パワーデバイスの役割/1.2 パワーデバイスの用途/1.3 身近で活躍するパワーデバイス |
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2.パワーデバイスによる電力変換 |
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2.1 パワーデバイスによる直流-交流の相互変換/2.2 コンバータ/インバータシステム/2.3 パワーデバイスの進化 |
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3.原子と結晶 |
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3.1 原子構造と元素の周期性/3.2 半導体結晶とエネルギーバンド/3.3 結晶欠陥 |
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4.半導体中のキャリヤ |
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4.1 半導体中のキャリヤの生成/4.2 半導体中のキャリヤ統計/4.3 半導体中の電気伝導 |
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5.半導体デバイスの基礎 |
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5.1 pn接合/5.2 金属-半導体接触/5.3 MOS構造 |
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6.電力用ダイオードおよび電流制御型スイッチングデバイスの構造と特性 |
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6.1 パワーチップの構造/6.2 電力用ダイオード/6.3 パワーバイポーラトランジスタ/6.4 サイリスタ |
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7.電圧制御型スイッチングデバイスの構造と特性 |
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7.1 パワーMOSFET/7.2 IGBT/7.3 IGBTの多機能化 |
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8.パワーモジュールの構造と要求性能 |
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8.1 パワーチップのモジュール化/8.2 パワーモジュールの構造/8.3 パワーモジュールへの要求性能 |
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9.パワーデバイス用シリコンウェーハ |
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9.1 CZシリコンウェーハ/9.2 FZシリコンウェーハ/9.3 エピタキシャル成長/9.4 パワーデバイス用ウェーハの選定 |
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10.パワーチップ製造プロセス |
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10.1 パワーチップとMOS-LSIの構造比較/10.2 パワーチップ表面側プロセス/10.3 パワーチップ裏面側プロセス |
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11.パワーモジュール製造プロセス |
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11.1 パワーモジュール製造プロセス/11.2 パワーモジュール対応新技術/11.3 パワーデバイスのテスト技術 |
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12.ワイドギャップ半導体パワーデバイス |
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12.1 シリコンパワーデバイスと比較した優位性/12.2 SiCパワーデバイス/12.3 GaNパワーデバイス |
目次
内容細目
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