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No.	資料番号	資料種別	請求記号	配架場所	状態	貸出
1	0011046315	図書一般	549.8/ﾔﾏ12/	2F自然	貸出可	○

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書誌情報サマリ

タイトル	パワーデバイス
人名	山本秀和／著
人名ヨミ	ヤマモトヒデカズ
出版者・発行者	コロナ社
出版年月	2012.2

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別	図書
タイトル	パワーデバイス
並列タイトル	Power Devices
タイトルヨミ	パワーデバイス
人名	山本秀和／著
人名ヨミ	ヤマモトヒデカズ
出版者・発行者	コロナ社
出版者・発行者等ヨミ	コロナシャ
出版地・発行地	東京
出版・発行年月	2012.2
ページ数または枚数・巻数	8,180p
大きさ	21cm
価格	￥２５００
ISBN	978-4-339-00831-9
ISBN	4-339-00831-9
注記	文献:p175
分類記号	549.8
件名	半導体／パワーエレクトロニクス
内容紹介	パワーデバイスそのものに特化した入門書。半導体およびデバイスの基礎は最小限にとどめ、パワーデバイスの構造および特性とパワーデバイス特有の製造プロセスを詳しく解説する。
著者紹介	北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了(電気工学専攻)。工学博士。三菱電機株式会社勤務を経て、千葉工業大学教授。
言語区分	JPN
タイトルコード	1009811510499
目次	1.パワーデバイスの概要
	1.1 パワーデバイスの役割／1.2 パワーデバイスの用途／1.3 身近で活躍するパワーデバイス
	2.パワーデバイスによる電力変換
	2.1 パワーデバイスによる直流-交流の相互変換／2.2 コンバータ/インバータシステム／2.3 パワーデバイスの進化
	3.原子と結晶
	3.1 原子構造と元素の周期性／3.2 半導体結晶とエネルギーバンド／3.3 結晶欠陥
	4.半導体中のキャリヤ
	4.1 半導体中のキャリヤの生成／4.2 半導体中のキャリヤ統計／4.3 半導体中の電気伝導
	5.半導体デバイスの基礎
	5.1 pn接合／5.2 金属-半導体接触／5.3 MOS構造
	6.電力用ダイオードおよび電流制御型スイッチングデバイスの構造と特性
	6.1 パワーチップの構造／6.2 電力用ダイオード／6.3 パワーバイポーラトランジスタ／6.4 サイリスタ
	7.電圧制御型スイッチングデバイスの構造と特性
	7.1 パワーMOSFET／7.2 IGBT／7.3 IGBTの多機能化
	8.パワーモジュールの構造と要求性能
	8.1 パワーチップのモジュール化／8.2 パワーモジュールの構造／8.3 パワーモジュールへの要求性能
	9.パワーデバイス用シリコンウェーハ
	9.1 CZシリコンウェーハ／9.2 FZシリコンウェーハ／9.3 エピタキシャル成長／9.4 パワーデバイス用ウェーハの選定
	10.パワーチップ製造プロセス
	10.1 パワーチップとMOS-LSIの構造比較／10.2 パワーチップ表面側プロセス／10.3 パワーチップ裏面側プロセス
	11.パワーモジュール製造プロセス
	11.1 パワーモジュール製造プロセス／11.2 パワーモジュール対応新技術／11.3 パワーデバイスのテスト技術
	12.ワイドギャップ半導体パワーデバイス
	12.1 シリコンパワーデバイスと比較した優位性／12.2 SiCパワーデバイス／12.3 GaNパワーデバイス