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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
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1 |
0010743466 | 図書一般 | 428.4/ニホ11/4 | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
現代表面科学シリーズ 4 表面新物質創製
|
人名 |
日本表面科学会/編集
|
人名ヨミ |
ニホン ヒョウメン カガクカイ |
出版者・発行者 |
共立出版
|
出版年月 |
2011.9 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
現代表面科学シリーズ 4 表面新物質創製 |
タイトルヨミ |
ゲンダイ ヒョウメン カガク シリーズ ヒョウメン シンブッシツ ソウセイ |
人名 |
日本表面科学会/編集
|
人名 |
白石 賢二/担当編集幹事
|
人名ヨミ |
ニホン ヒョウメン カガクカイ |
人名ヨミ |
シライシ ケンジ |
出版者・発行者 |
共立出版
|
出版者・発行者等ヨミ |
キョウリツ シュッパン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2011.9 |
ページ数または枚数・巻数 |
12,192p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥3300 |
ISBN |
978-4-320-03372-6 |
ISBN |
4-320-03372-6 |
注記 |
文献:章末 |
分類記号 |
428.4
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件名 |
表面物理学
/
表面(工学)
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内容紹介 |
研究・開発の現場で活かせる現代表面科学の体系を学べるテキスト。4は、表面制御や表面との相互作用を利用した「表面を舞台としたナノスケールの新物質の創製」に焦点を当て、ナノスケールの表面制御技術を分かり易く解説。 |
言語区分 |
JPN |
タイトルコード |
1009811469466 |
目次 |
第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製 |
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1.1 Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成/1.2 高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Si1‐xGex・Ge層の創製/1.3 GaNのエピタキシャル横方向成長と自己組織的転位伝播/引用・参考文献 |
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第2章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製 |
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2.1 原子操作による表面物質創製/2.2 原子操作による導電性分子デバイス/引用・参考文献 |
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第3章 自己組織化によるナノワイヤ,ナノドット形成 |
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3.1 VLS法によるナノワイヤ成長/3.2 シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造,3次元構造/3.3 生体物質を用いた金属ナノドット形成/3.4 自己組織化による界面のデザイン:有機膜形成/引用・参考文献 |
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第4章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製 |
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4.1 基板表面上のグラフェンの創製/4.2 表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御/引用・参考文献 |
目次
内容細目
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