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1 0010009884図書一般549.8/ﾋｸ10/2F自然貸出可  ○

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書誌情報サマリ

タイトル

例題で学ぶ半導体デバイス入門

人名 樋口 英世／著
人名ヨミ ヒグチ ヒデヨ
出版者・発行者 森北出版
出版年月 2010.9

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル 例題で学ぶ半導体デバイス入門
タイトルヨミ レイダイ デ マナブ ハンドウタイ デバイス ニュウモン
人名 樋口 英世／著
人名ヨミ ヒグチ ヒデヨ
出版者・発行者 森北出版
出版者・発行者等ヨミ モリキタ シュッパン
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2010.9
ページ数または枚数・巻数 5,215p
大きさ 22cm
価格 ￥２８００
ISBN 978-4-627-77411-7
ISBN 4-627-77411-7
注記 文献:p211
分類記号 549.8
件名 半導体
内容紹介 半導体デバイスについて、量子力学を前面に出さず、経験事実を示すことにより半導体のバンド構造(エネルギー帯)がどのように形成されるかを解説。数式の導出と解法はできるだけ省略なしに説明する。章末に練習問題を掲載。
著者紹介 東京工業大学大学院電子物理工学専攻博士課程修了。工学博士。三菱電機株式会社入社。半導体レーザの開発に従事。大阪電気通信大学教授。
言語区分 jpn
タイトルコード 1009811339162
目次 1章 結晶と自由電子
1.1 物質の抵抗率／1.2 固体の結晶構造と自由電子／演習問題
2章 エネルギー帯とキャリア
2.1 束縛された電子のエネルギー／2.2 半導体内の電子エネルギー／2.3 半導体のエネルギー帯とキャリア／2.4 正孔のエネルギー／2.5 導体,絶縁体,半導体のエネルギー帯構造／2.6 真性半導体／2.7 外因性半尊体／演習問題
3章 半導体のキャリア密度とフェルミ準位
3.1 熱平衡状態とキャリア密度／3.2 キャリア密度とフェルミ準位／演習問題
4章 半導体中の電気伝導
4.1 ドリフト電流／4.2 ホール効果／4.3 拡散と再結合・励起／4.4 キャリア連続の式／演習問題
5章 pn接合とダイオード
5.1 階段形pn接合／5.2 空乏層と拡散電位／5.3 空乏層の特性／5.4 電流-電圧特性／5.5 降伏／演習問題
6章 バイポーラトランジスタ
6.1 トランジスタの分類／6.2 接合型トランジスタの構成／6.3 増幅動作の概要／6.4 ベース接地電流増幅率／6.5 電流-電圧特性／6.6 ベース走行時間と周波数特性／6.7 電圧増幅率／6.8 出力回路の消費電力／演習問題
7章 金属,半導体,絶縁物の接触
7.1 半導体の表面準位／7.2 金属と半導体の接触／7.3 ショットキーダイオード／7.4 金属,絶縁物,半導体の接触と理想MOS構造／7.5 蓄積,空乏,反転／7.6 理想MOSの反転しきい値電圧／7.7 理想MOSの容量／7.8 理想MOSでない場合の補正／演習問題
8章 電界効果トランジスタ
8.1 電界効果トランジスタの分類／8.2 接合型FETの構造と動作原理／8.3 絶縁膜型FETの構造と動作原理／8.4 チャネル走行時間と遮断周波数／8.5 小信号等価回路／8.6 電圧増幅率／演習問題
9章 集積回路概論
9.1 集積回路の分類／9.2 モノリシックICの素子構造と製法／9.3 モノリシックICの動作概要／9.4 モノリシックICの特徴／演習問題



目次


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