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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0009715335 | 図書一般 | 549.7/エノ10/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
ナノCMOS集積回路
|
人名 |
榎本 忠儀/著
|
人名ヨミ |
エノモト タダヨシ |
出版者・発行者 |
培風館
|
出版年月 |
2010.4 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
ナノCMOS集積回路 |
タイトルヨミ |
ナノシーモス シュウセキ カイロ |
人名 |
榎本 忠儀/著
|
人名ヨミ |
エノモト タダヨシ |
出版者・発行者 |
培風館
|
出版者・発行者等ヨミ |
バイフウカン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2010.4 |
ページ数または枚数・巻数 |
8,277p |
大きさ |
27cm |
価格 |
¥6000 |
ISBN |
978-4-563-06776-2 |
ISBN |
4-563-06776-2 |
分類記号 |
549.7
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件名 |
集積回路
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内容紹介 |
サブ100nm世代に対応したLSI設計のテキスト。初学者が回路やメモリの全体構成、動作原理、機能などを理解できるように、基本技術から応用技術まで、LSI回路技術の本質を平易かつ詳細に解説する。 |
言語区分 |
jpn |
タイトルコード |
1009811288741 |
目次 |
1 MOS容量 |
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1.1 MOS構造とその特性/1.2 MOS容量の電圧依存性/1.3 仕事関数の差と界面準位の影響 |
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2 MOS形電界効果トランジスタ |
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2.1 MOSFETの構造/2.2 nMOSFETの基本動作/2.3 MOSFETのスイッチ機能/2.4 nMOSFETの動作と特性/2.5 pMOSFETのドレイン電流と特性 |
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3 CMOSディジタル基本回路 |
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3.1 MOSFETスイッチ/3.2 CMOSインバータの直流伝達特性/3.3 CMOS論理ゲート/3.4 デコーダ/3.5 セレクタ/3.6 フリップフロップ |
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4 CMOSディジタル回路の性能 |
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4.1 CMOS回路とその寄生素子/4.2 配線抵抗と配線容量/4.3 MOSFETの抵抗/4.4 MOSFETの容量/4.5 スイッチング特性/4.6 同期回路の課題/4.7 同期回路の高スループット化 |
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5 CMOSディジタル演算回路 |
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5.1 加算回路/5.2 加算回路の応用回路/5.3 桁あふれ機能とこれを搭載した加算回路/5.4 絶対値関連回路/5.5 加算回路の高速化/5.6 乗算回路 |
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6 半導体メモリ |
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6.1 半導体メモリの分類/6.2 半導体メモリの基本構成と動作/6.3 SRAM/6.4 DRAM/6.5 リードオンリーメモリ(ROM)/6.6 レジスタファイル |
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7 プロセッサとその制御方式 |
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7.1 仮想マイクロプロセッサ/7.2 命令形式と動作内容/7.3 データパス部の構成とデータパス制御/7.4 パイプライン方式による命令の実行とデータの移動 |
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8 消費電力 |
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8.1 CMOS論理ゲートの消費電力/8.2 LSIのダイナミック消費電力と削減方法/8.3 スタチック電力と削減方法 |
目次
内容細目
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