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書誌情報サマリ

タイトル

半導体デバイスシリーズ　2　　メモリデバイス・イメージセンサ　

人名 權田 俊一／編集
人名ヨミ ゴンダ シュンイチ
出版者・発行者 丸善
出版年月 2009.12

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル 半導体デバイスシリーズ　2　　メモリデバイス・イメージセンサ　
タイトルヨミ ハンドウタイ デバイス シリーズ　メモリ デバイス イメージ センサ　
人名 權田 俊一／編集 　 谷口 研二／編集
人名 角南 英夫／編著 　 川人 祥二／編著 　 有本 和民／[ほか]著
人名ヨミ ゴンダ シュンイチ　タニグチ ケンジ
人名ヨミ スナミ ヒデオ　カワヒト ショウジ　アリモト カズタミ
出版者・発行者 丸善
出版者・発行者等ヨミ マルゼン
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2009.12
ページ数または枚数・巻数 20,292p
大きさ 21cm
価格 ￥５７００
ISBN 978-4-621-08213-3
ISBN 4-621-08213-3
注記 文献:章末
分類記号 549.8
分類記号 548.232
件名 半導体
件名 半導体記憶装置 ／ CCD ／ 画像処理
内容紹介 メモリデバイスとイメージセンサの動作原理や特性を解説。DRAMからフラッシュメモリへの研究開発の流れをはじめ、FETの代替デバイスの開発状況、市場を二分するCCDとCMOSイメージセンサの実像などを取り上げる。
著者紹介 大阪大学名誉教授。
言語区分 jpn
タイトルコード 1009811257775
目次 第Ⅰ編 メモリデバイス
1 メモリデバイスの基礎
1.1 半導体メモリとは／1.2 半導体メモリの市場
2 量産中のメモリ
2.1 DRAM／2.2 SRAM／2.3 EEPROM
3 小規模生産中のメモリ
3.1 FeRAM(強誘電体メモリ)／3.2 MRAM／3.3 PCM
4 今後に期待されるメモリ
4.1 抵抗メモリ(ReRAM)／4.2 そのほかに提案されているメモリ／4.3 実用化の要件
第Ⅱ編 イメージセンサ
5 イメージセンサの基礎
5.1 イメージセンサの基本構成／5.2 光電変換と信号検出／5.3 イメージセンサの基本特性
6 CCDイメージセンサ
6.1 CCD(電荷結合素子)の原理／6.2 CCDの駆動方式／6.3 CCDイメージセンサの構造・機能／6.4 CCDイメージセンサの諸特性
7 CMOSイメージセンサ
7.1 CMOSイメージセンサの基本構成／7.2 画素構成／7.3 CMOSイメージセンサの基本性能とその改善／7.4 ノイズキャンセル(相関2重サンプリング)と信号読出し



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