書誌種別 |
図書 |
タイトル |
電子デバイス |
シリーズ名 |
新インターユニバーシティ |
タイトルヨミ |
デンシ デバイス |
シリーズ名ヨミ |
シン インター ユニバーシティ |
人名 |
水谷 孝/編著
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人名ヨミ |
ミズタニ タカシ |
出版者・発行者 |
オーム社
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出版者・発行者等ヨミ |
オームシャ |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2009.9 |
ページ数または枚数・巻数 |
6,167p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥2300 |
ISBN |
978-4-274-20764-8 |
ISBN |
4-274-20764-8 |
注記 |
文献:p155〜156 |
分類記号 |
549.8
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件名 |
半導体
/
集積回路
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内容紹介 |
電子デバイスを学ぶ上で重要な半導体の基礎を解説。その上でpn結合や、金属-酸化物-半導体(MOS)構造、MOS電界効果トランジスタ、集積回路の作り方などを詳述する。各章末にまとめと演習問題付き。 |
著者紹介 |
名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程修了。同大学大学院工学研究科量子工学専攻教授。工学博士。 |
言語区分 |
jpn |
タイトルコード |
1009811223958 |
目次 |
序章 電子デバイスの学び方 |
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1 トランジスタ開発の歴史を振り返ろう/2 本書の構成/3 電子デバイスの学び方 |
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1章 半導体の基礎 |
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1 半導体のエネルギーバンドとは?/2 正の電荷をもつ粒子-正孔とは?/3 半導体にキャリヤを導入する/4 キャリヤ濃度とフェルミ準位について学ぼう/5 半導体中で電気はどのように流れるのか?/6 拡散電流とは何か?/7 少数キャリヤ連続の式/まとめ/演習問題 |
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2章 pn接合 |
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1 pn接合の構造とエネルギーバンド図,内蔵電位,分布関数を理解しよう/2 少数キャリヤの注入と拡散/3 pn接合の電流-電圧特性を理解しよう/4 pn接合の容量を計算してみよう/5 逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう/6 トンネルダイオードの特性を理解しよう/まとめ/演習問題 |
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3章 バイポーラトランジスタ |
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1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう/2 電流増輻率は何によって決まるのか/3 低電流,高電流での電流増幅率低下はなぜ起こるのか/4 アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう/5 遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう/まとめ/演習問題 |
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4章 pn接合を用いた複合素子 |
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1 pnダイオードと伝導度変調効果/2 サイリスタの構造と動作原理を理解しよう/3 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造と動作原理を理解しよう/まとめ/演習問題 |
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5章 絶縁体-半導体界面 |
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1 MIS構造と界面準位を理解しよう/2 理想的なMIS構造の基本特性を理解しよう/3 実際のMIS構造を理解しよう/まとめ/演習問題 |
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6章 MOS形電界効果トランジスタ(MOSFET) |
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1 構造と動作原理を理解しよう/2 電流-電圧特性を理解しよう/3 エンハンスメント形とデプレション形の違いを理解しよう/4 nチャネルとpチャネルの違いを理解しよう/まとめ/演習問題 |
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7章 MOS形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子 |
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1 MOSFETの諸現象を理解しよう/2 電荷結合素子を理解しよう/まとめ/演習問題 |
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8章 ショットキー接合とヘテロ接合 |
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1 ショットキー接合について学ぼう/2 ヘテロ接合を理解しよう/まとめ/演習問題 |
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9章 ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ |
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1 ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう/2 接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう/3 高電子移動度トランジスタについて学ぼう/まとめ/演習問題 |
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10章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
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1 バイポーラトランジスタを復習しよう/2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう/3 電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう/4 HBTの利点を整理しよう/5 ベース電流の要因と電流増幅率について考えよう/まとめ/演習問題 |
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11章 量子効果デバイス |
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1 デバイスサイズの縮小とトンネル効果/2 実際のMOSFETにおけるトンネル効果/3 トンネル現象の応用-フラッシュメモリ/4 さらに高度なトンネル効果-共鳴トンネル効果/5 もっと電子を閉じ込めると何が起こる?/まとめ/演習問題 |
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12章 デバイスの集積 |
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1 MOS集積回路の構造と作り方/2 相補形論理回路とは?/3 値を記憶する回路/まとめ/演習問題 |