| 書誌種別 |
図書 |
| タイトル |
電子デバイス |
| シリーズ名 |
新インターユニバーシティ |
| タイトルヨミ |
デンシ デバイス |
| シリーズ名ヨミ |
シン インター ユニバーシティ |
| 人名 |
水谷 孝／編著
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| 人名ヨミ |
ミズタニ タカシ |
| 出版者・発行者 |
オーム社
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| 出版者・発行者等ヨミ |
オームシャ |
| 出版地・発行地 |
東京 |
| 出版・発行年月 |
2009.9 |
| ページ数または枚数・巻数 |
6,167p |
| 大きさ |
21cm |
| 価格 |
￥２３００ |
| ISBN |
978-4-274-20764-8 |
| ISBN |
4-274-20764-8 |
| 注記 |
文献:p155〜156 |
| 分類記号 |
549.8
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| 件名 |
半導体
／
集積回路
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| 内容紹介 |
電子デバイスを学ぶ上で重要な半導体の基礎を解説。その上でpn結合や、金属-酸化物-半導体(MOS)構造、MOS電界効果トランジスタ、集積回路の作り方などを詳述する。各章末にまとめと演習問題付き。 |
| 著者紹介 |
名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程修了。同大学大学院工学研究科量子工学専攻教授。工学博士。 |
| 言語区分 |
jpn |
| タイトルコード |
1009811223958 |
| 目次 |
序章 電子デバイスの学び方 |
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1 トランジスタ開発の歴史を振り返ろう／2 本書の構成／3 電子デバイスの学び方 |
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1章 半導体の基礎 |
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1 半導体のエネルギーバンドとは?／2 正の電荷をもつ粒子-正孔とは?／3 半導体にキャリヤを導入する／4 キャリヤ濃度とフェルミ準位について学ぼう／5 半導体中で電気はどのように流れるのか?／6 拡散電流とは何か?／7 少数キャリヤ連続の式／まとめ／演習問題 |
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2章 pn接合 |
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1 pn接合の構造とエネルギーバンド図,内蔵電位,分布関数を理解しよう／2 少数キャリヤの注入と拡散／3 pn接合の電流-電圧特性を理解しよう／4 pn接合の容量を計算してみよう／5 逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう／6 トンネルダイオードの特性を理解しよう／まとめ／演習問題 |
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3章 バイポーラトランジスタ |
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1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう／2 電流増輻率は何によって決まるのか／3 低電流,高電流での電流増幅率低下はなぜ起こるのか／4 アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう／5 遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう／まとめ／演習問題 |
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4章 pn接合を用いた複合素子 |
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1 pnダイオードと伝導度変調効果／2 サイリスタの構造と動作原理を理解しよう／3 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造と動作原理を理解しよう／まとめ／演習問題 |
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5章 絶縁体-半導体界面 |
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1 MIS構造と界面準位を理解しよう／2 理想的なMIS構造の基本特性を理解しよう／3 実際のMIS構造を理解しよう／まとめ／演習問題 |
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6章 MOS形電界効果トランジスタ(MOSFET) |
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1 構造と動作原理を理解しよう／2 電流-電圧特性を理解しよう／3 エンハンスメント形とデプレション形の違いを理解しよう／4 nチャネルとpチャネルの違いを理解しよう／まとめ／演習問題 |
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7章 MOS形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子 |
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1 MOSFETの諸現象を理解しよう／2 電荷結合素子を理解しよう／まとめ／演習問題 |
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8章 ショットキー接合とヘテロ接合 |
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1 ショットキー接合について学ぼう／2 ヘテロ接合を理解しよう／まとめ／演習問題 |
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9章 ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ |
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1 ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう／2 接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう／3 高電子移動度トランジスタについて学ぼう／まとめ／演習問題 |
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10章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
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1 バイポーラトランジスタを復習しよう／2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう／3 電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう／4 HBTの利点を整理しよう／5 ベース電流の要因と電流増幅率について考えよう／まとめ／演習問題 |
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11章 量子効果デバイス |
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1 デバイスサイズの縮小とトンネル効果／2 実際のMOSFETにおけるトンネル効果／3 トンネル現象の応用-フラッシュメモリ／4 さらに高度なトンネル効果-共鳴トンネル効果／5 もっと電子を閉じ込めると何が起こる?／まとめ／演習問題 |
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12章 デバイスの集積 |
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1 MOS集積回路の構造と作り方／2 相補形論理回路とは?／3 値を記憶する回路／まとめ／演習問題 |
