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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0009064031 | 図書一般 | 549.8/ムロ09/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
電子デバイス入門
|
人名 |
室 英夫/共著
|
人名ヨミ |
ムロ ヒデオ |
出版者・発行者 |
日新出版
|
出版年月 |
2009.4 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
電子デバイス入門 |
シリーズ名 |
実用理工学入門講座 |
タイトルヨミ |
デンシ デバイス ニュウモン |
シリーズ名ヨミ |
ジツヨウ リコウガク ニュウモン コウザ |
人名 |
室 英夫/共著
脇田 和樹/共著
阿武 宏明/共著
|
人名ヨミ |
ムロ ヒデオ ワキタ カズキ アンノ ヒロアキ |
出版者・発行者 |
日新出版
|
出版者・発行者等ヨミ |
ニッシン シュッパン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2009.4 |
ページ数または枚数・巻数 |
3,129p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥1700 |
ISBN |
978-4-8173-0237-3 |
ISBN |
4-8173-0237-3 |
注記 |
文献:p115 |
分類記号 |
549.8
|
件名 |
半導体
/
集積回路
|
内容紹介 |
電子デバイスを初めて学ぶ人を対象にして、電子デバイスの動作イメージが摑めるということを最終目標とし、電子デバイスの基礎について図解的にわかりやすく記述する。演習問題付き。 |
言語区分 |
jpn |
タイトルコード |
1009811170381 |
目次 |
第1章 半導体の物理 |
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1・1 半導体シリコンの結晶構造とエネルギー帯/1・2 半導体のキャリア密度/1・3 半導体の電気伝導/演習問題1 |
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第2章 pn接合ダイオード |
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2・1 pn接合ダイオードの構成と動作原理/2・2 pn接合ダイオードの電流-電圧特性/2・3 pn接合ダイオードの容量特牲/演習問題2 |
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第3章 バイポーラ・トランジスタ |
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3・1 バイポーラ・トランジスタの構成と動作原理/3・2 バイポーラ・トランジスタの電流増幅/3・3 バイポーラ・トランジスタの静特性/演習問題3 |
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第4章 MOSFET |
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4・1 MOSFETの構成/4・2 MOS構造の動作/4・3 反転状態の電荷特性としきい値電圧/4・4 MOS構造の容量特性/4・5 MOSFETの静特性/4・6 CMOSの構造と動作/演習問題4 |
目次
内容細目
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