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1 0009064031図書一般549.8/ﾑﾛ09/2F自然貸出可  ○

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書誌情報サマリ

タイトル

電子デバイス入門

人名 室 英夫／共著
人名ヨミ ムロ ヒデオ
出版者・発行者 日新出版
出版年月 2009.4

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別 図書
タイトル 電子デバイス入門
シリーズ名 実用理工学入門講座
タイトルヨミ デンシ デバイス ニュウモン
シリーズ名ヨミ ジツヨウ リコウガク ニュウモン コウザ
人名 室 英夫／共著 　 脇田 和樹／共著 　 阿武 宏明／共著
人名ヨミ ムロ ヒデオ　ワキタ カズキ　アンノ ヒロアキ
出版者・発行者 日新出版
出版者・発行者等ヨミ ニッシン シュッパン
出版地・発行地 東京
出版・発行年月 2009.4
ページ数または枚数・巻数 3,129p
大きさ 21cm
価格 ￥１７００
ISBN 978-4-8173-0237-3
ISBN 4-8173-0237-3
注記 文献:p115
分類記号 549.8
件名 半導体 ／ 集積回路
内容紹介 電子デバイスを初めて学ぶ人を対象にして、電子デバイスの動作イメージが摑めるということを最終目標とし、電子デバイスの基礎について図解的にわかりやすく記述する。演習問題付き。
言語区分 jpn
タイトルコード 1009811170381
目次 第1章 半導体の物理
1・1 半導体シリコンの結晶構造とエネルギー帯／1・2 半導体のキャリア密度／1・3 半導体の電気伝導／演習問題1
第2章 pn接合ダイオード
2・1 pn接合ダイオードの構成と動作原理／2・2 pn接合ダイオードの電流-電圧特性／2・3 pn接合ダイオードの容量特牲／演習問題2
第3章 バイポーラ・トランジスタ
3・1 バイポーラ・トランジスタの構成と動作原理／3・2 バイポーラ・トランジスタの電流増幅／3・3 バイポーラ・トランジスタの静特性／演習問題3
第4章 MOSFET
4・1 MOSFETの構成／4・2 MOS構造の動作／4・3 反転状態の電荷特性としきい値電圧／4・4 MOS構造の容量特性／4・5 MOSFETの静特性／4・6 CMOSの構造と動作／演習問題4



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