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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0009210642 | 図書一般 | 549.8/ミヤ09/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
電子デバイス
|
人名 |
宮本 恭幸/著
|
人名ヨミ |
ミヤモト ヤスユキ |
出版者・発行者 |
培風館
|
出版年月 |
2009.2 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
電子デバイス |
シリーズ名 |
電子情報工学ニューコース |
シリーズ番号 |
11 |
タイトルヨミ |
デンシ デバイス |
シリーズ名ヨミ |
デンシ ジョウホウ コウガク ニュー コース |
シリーズ番号ヨミ |
11 |
人名 |
宮本 恭幸/著
|
人名ヨミ |
ミヤモト ヤスユキ |
出版者・発行者 |
培風館
|
出版者・発行者等ヨミ |
バイフウカン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2009.2 |
ページ数または枚数・巻数 |
6,153p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥2500 |
ISBN |
978-4-563-06991-9 |
ISBN |
4-563-06991-9 |
注記 |
文献:p141〜142 |
分類記号 |
549.8
|
件名 |
半導体
/
集積回路
|
内容紹介 |
半導体デバイスの実践的テキスト。実際の設計において大切なデバイスの寸法と電圧の関係を表わすスケーリングの理解を主眼に解説し、バイポーラトランジスタやその他のメモリ、化合物半導体についても簡潔に説明する。 |
言語区分 |
jpn |
タイトルコード |
1009811161945 |
目次 |
1.デバイス理解の基礎知識 |
|
1.1 デバイス理解のために最小限の半導体物理/1.2 pn接合の動作/1.3 デバイス評価のための回路の知識/演習問題1 |
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2.MOSFET |
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2.1 MOSFETの構造/2.2 MOSFETの直流特性/2.3 動作速度の見積もり/2.4 しきい値電圧/2.5 スケーリング/演習問題2 |
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3.バイポーラトランジスタ |
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3.1 バイポーラトランジスタの基礎/3.2 等価回路/3.3 コレクタの設計/3.4 速度の推定/3.5 バイポーラトランジスタにおける再結合/演習問題3 |
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4.そのほかの電子デバイス |
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4.1 MOS構造をベースにしたメモリデバイス/4.2 パワーデバイス/4.3 化合物半導体トランジスタ/演習問題4 |
目次
内容細目
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