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No.	資料番号	資料種別	請求記号	配架場所	状態	貸出
1	0009189028	一般図書	549.8/ﾊﾏ09/	2F自然	貸出可	○

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書誌情報サマリ

タイトル	半導体デバイスの基礎
人名	浜口智尋／著
人名ヨミ	ハマグチチヒロ
出版者・発行者	朝倉書店
出版年月	2009.2

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別	図書
タイトル	半導体デバイスの基礎
タイトルヨミ	ハンドウタイデバイスノキソ
人名	浜口智尋／著　谷口研二／著
人名ヨミ	ハマグチチヒロ　タニグチケンジ
出版者・発行者	朝倉書店
出版者・発行者等ヨミ	アサクラショテン
出版地・発行地	東京
出版・発行年月	2009.2
ページ数または枚数・巻数	6,214p
大きさ	21cm
価格	￥３６００
ISBN	978-4-254-22155-8
ISBN	4-254-22155-8
注記	文献:p203〜206
分類記号	549.8
件名	半導体
内容紹介	ハイテクや情報革命の中核をなす半導体技術の入門的なテキスト。電気伝導やpn接合型デバイスから、最近注目されているヘテロ構造を用いた種々のデバイス、マイクロ波デバイスのガンダイオード、磁気センサまでを解説。
著者紹介	1937年三重県生まれ。大阪大学名誉教授、シャープ株式会社顧問。
言語区分	jpn
タイトルコード	1009811157673
目次	第1章半導体の物理
	1.1 半導体とは／1.2 結晶の周期性と格子振動／1.3 半導体のエネルギー帯構造／1.4 有効質量／1.5 正孔の概念／1.6 電子統計
	第2章電気伝導
	2.1 電流の担い手／2.2 電子のドリフト運動と移動度／2.3 電子散乱の機構／2.4 伝導電子の拡散／2.5 キャリアの生成と再結合／2.6 ホール効果
	第3章 pn接合型デバイス
	3.1 pn接合と電位障壁／3.2 少数キャリアの注入とpn接合の整流特性／3.3 トンネルダイオード／3.4 バイポーラトランジスタ
	第4章界面の物理と電界効果トランジスタ
	4.1 界面の物性／4.2 金属・半導体接合の電気的特性／4.3 MOS構造の物理／4.4 MOS構造の静電容量／4.5 MOSFETの基本動作特性／4.6 短チャネルMOSFET特有の問題点／4.7 各種MOSFETの構造／4.8 基板バイアス効果／4.9 電荷転送素子(CCD)
	第5章光電効果デバイス
	5.1 光吸収／5.2 発光ダイオード(LED)／5.3 半導体レーザ／5.4 光検出デバイス
	第6章量子井戸デバイス
	6.1 量子井戸とは／6.2 二次元電子ガスの状態密度／6.3 変調ドープと高電子移動度トランジスタ／6.4 その他のヘテロ構造トランジスタ／6.5 多重量子井戸レーザ
	第7章その他のデバイス
	7.1 ガンダイオード／7.2 磁気センサ／7.3 量子ホール効果を用いた標準抵抗
	付録
	A 電子散乱と緩和時間／B 磁気抵抗効果／C バリスティック伝導とランダウアー公式／D 捕獲と再結合(ショックレー・リードの統計)／E 誘導放出と分布反転／F 遷移確率と吸収係数の導出／G インパットダイオード／H 圧力センサ