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資料の状態
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No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
1 |
0009189028 | 図書一般 | 549.8/ハマ09/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
タイトル |
半導体デバイスの基礎
|
人名 |
浜口 智尋/著
|
人名ヨミ |
ハマグチ チヒロ |
出版者・発行者 |
朝倉書店
|
出版年月 |
2009.2 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書 |
タイトル |
半導体デバイスの基礎 |
タイトルヨミ |
ハンドウタイ デバイス ノ キソ |
人名 |
浜口 智尋/著
谷口 研二/著
|
人名ヨミ |
ハマグチ チヒロ タニグチ ケンジ |
出版者・発行者 |
朝倉書店
|
出版者・発行者等ヨミ |
アサクラ ショテン |
出版地・発行地 |
東京 |
出版・発行年月 |
2009.2 |
ページ数または枚数・巻数 |
6,214p |
大きさ |
21cm |
価格 |
¥3600 |
ISBN |
978-4-254-22155-8 |
ISBN |
4-254-22155-8 |
注記 |
文献:p203〜206 |
分類記号 |
549.8
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件名 |
半導体
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内容紹介 |
ハイテクや情報革命の中核をなす半導体技術の入門的なテキスト。電気伝導やpn接合型デバイスから、最近注目されているヘテロ構造を用いた種々のデバイス、マイクロ波デバイスのガンダイオード、磁気センサまでを解説。 |
著者紹介 |
1937年三重県生まれ。大阪大学名誉教授、シャープ株式会社顧問。 |
言語区分 |
jpn |
タイトルコード |
1009811157673 |
目次 |
第1章 半導体の物理 |
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1.1 半導体とは/1.2 結晶の周期性と格子振動/1.3 半導体のエネルギー帯構造/1.4 有効質量/1.5 正孔の概念/1.6 電子統計 |
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第2章 電気伝導 |
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2.1 電流の担い手/2.2 電子のドリフト運動と移動度/2.3 電子散乱の機構/2.4 伝導電子の拡散/2.5 キャリアの生成と再結合/2.6 ホール効果 |
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第3章 pn接合型デバイス |
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3.1 pn接合と電位障壁/3.2 少数キャリアの注入とpn接合の整流特性/3.3 トンネルダイオード/3.4 バイポーラトランジスタ |
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第4章 界面の物理と電界効果トランジスタ |
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4.1 界面の物性/4.2 金属・半導体接合の電気的特性/4.3 MOS構造の物理/4.4 MOS構造の静電容量/4.5 MOSFETの基本動作特性/4.6 短チャネルMOSFET特有の問題点/4.7 各種MOSFETの構造/4.8 基板バイアス効果/4.9 電荷転送素子(CCD) |
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第5章 光電効果デバイス |
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5.1 光吸収/5.2 発光ダイオード(LED)/5.3 半導体レーザ/5.4 光検出デバイス |
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第6章 量子井戸デバイス |
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6.1 量子井戸とは/6.2 二次元電子ガスの状態密度/6.3 変調ドープと高電子移動度トランジスタ/6.4 その他のヘテロ構造トランジスタ/6.5 多重量子井戸レーザ |
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第7章 その他のデバイス |
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7.1 ガンダイオード/7.2 磁気センサ/7.3 量子ホール効果を用いた標準抵抗 |
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付録 |
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A 電子散乱と緩和時間/B 磁気抵抗効果/C バリスティック伝導とランダウアー公式/D 捕獲と再結合(ショックレー・リードの統計)/E 誘導放出と分布反転/F 遷移確率と吸収係数の導出/G インパットダイオード/H 圧力センサ |
目次
内容細目
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