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No.	資料番号	資料種別	請求記号	配架場所	状態	貸出
1	0006814651	図書一般	549.7/ｸﾛ05/	2F自然	貸出可	○

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書誌情報サマリ

タイトル	学びやすい集積回路工学
人名	黒木幸令／著
人名ヨミ	クロキユキノリ
出版者・発行者	昭晃堂
出版年月	2005.10

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

書誌種別	図書
タイトル	学びやすい集積回路工学
タイトルヨミ	マナビヤスイシュウセキカイロコウガク
人名	黒木幸令／著
人名ヨミ	クロキユキノリ
出版者・発行者	昭晃堂
出版者・発行者等ヨミ	ショウコウドウ
出版地・発行地	東京
出版・発行年月	2005.10
ページ数または枚数・巻数	4,158p
大きさ	21cm
価格	￥２８５０
ISBN	4-7856-1216-9
分類記号	549.7
件名	集積回路
内容紹介	半導体材料、デバイス、回路の立場から、集積回路が情報エレクトロニクス機器としてどのように作られ、どのようにシステム的に組み上げられていくか、その関係を明らかにしたテキスト。
言語区分	jpn
タイトルコード	1009810792537
目次	第1章半導体集積回路とエレクトロニクス産業
	1.1 エレクトロニクス機器の進歩と半導体集積回路／1.2 回路基板と集積回路
	第2章半導体の基礎
	2.1 半導体材料／2.2 電子と正孔／2.3 不純物添加によるキャリア密度の制御／2.4 キャリアの分布
	第3章半導体内でのキャリアの動きとその制御
	3.1 オームの法則(電界によるドリフト運動)と速度限界／3.2 拡散電流(濃度の濃いところから薄いところへの流れ)／3.3 キャリアの発生と消滅／3.4 pn接合によるキャリア注入／3.5 空乏層と電界効果
	第4章アナログ増幅器
	4.1 バイポーラ・トランジスタの構造と動作原理／4.2 バイポーラ・トランジスタのⅠ-V特性／4.3 増幅の原理(AC小信号特性)／4.4 電流制御モード増幅回路
	第5章 MOSFETの基本構造とスイッチング特性
	5.1 MOSFETの構造／5.2 しきい電圧(チャネル形成に必要なゲート電圧)／5.3 直流電流電圧特性／5.4 飽和特性／5.5 小信号増幅能力指数／5.6 走行時間と動作周波数／5.7 スイッチング特性と寄生容量
	第6章 CMOS論理ゲート回路
	6.1 インバータとバッファ／6.2 NAND回路とNOR回路／6.3 排他的論理EXOR回路／6.4 多入力ゲートと複合論理ゲート／6.5 パストランジスタとスイッチ／6.6 Dフリップ・フロップとラッチ回路
	第7章メモリ集積回路の基本構造と特性
	7.1 DRAM／7.2 SRAM／7.3 不揮発性メモリ／7.4 マスクROMとFuse
	第8章 AD/DA変換回路
	8.1 AD変換器／8.2 DA変換器／8.3 電荷再配分型DA変換器／8.4 負帰還型AD変換器／8.5 アナログ回路の精度を決める要因
	第9章集積化プロセス
	9.1 ウエハの製作／9.2 熱酸化／9.3 熱CVD,プラズマCVD／9.4 PVD／9.5 不純物拡散とイオン注入／9.6 リソグラフィ／9.7 エッチング／9.8 CMP／9.9 CMOSプロセスの流れ
	第10章集積回路の設計
	10.1 デバイス設計／10.2 プロセス設計／10.3 基本回路セル設計／10.4 ハードウェア記述言語を用いた設計と論理合成／10.5 レイアウト設計(配置配線)／10.6 検証／10.7 テスト容易化設計
	第11章スケーリング則の破綻と新材料・プロセスへの期待
	11.1 トランジスタのスケーリング則／11.2 配線のスケーリング／11.3 MOSFETの高性能化／11.4 低電圧化と低消費電力化