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資料の状態
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| No. |
資料番号 |
資料種別 |
請求記号 |
配架場所 |
状態 |
貸出
|
| 1 |
0015734247 | 図書一般 | 549.8/タナ21/ | 2F自然 | 貸出可 |
○ |
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書誌情報サマリ
| タイトル |
次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎
|
| 人名 |
田中 保宣/監修
|
| 人名ヨミ |
タナカ ヤスノリ |
| 出版者・発行者 |
科学情報出版
|
| 出版年月 |
2021.1 |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| 書誌種別 |
図書 |
| タイトル |
次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 |
| サブタイトル |
Siから新材料への新展開 |
| シリーズ名 |
設計技術シリーズ |
| タイトルヨミ |
ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス ジッソウ ギジュツ ノ キソ |
| サブタイトルヨミ |
エスアイ カラ シンザイリョウ エノ シンテンカイ |
| シリーズ名ヨミ |
セッケイ ギジュツ シリーズ |
| 人名 |
田中 保宣/監修
|
| 人名ヨミ |
タナカ ヤスノリ |
| 出版者・発行者 |
科学情報出版
|
| 出版者・発行者等ヨミ |
カガク ジョウホウ シュッパン |
| 出版地・発行地 |
つくば |
| 出版・発行年月 |
2021.1 |
| ページ数または枚数・巻数 |
10,279p |
| 大きさ |
21cm |
| 価格 |
¥4500 |
| ISBN |
978-4-904774-95-3 |
| ISBN |
4-904774-95-3 |
| 分類記号 |
549.8
|
| 件名 |
半導体
/
パワーエレクトロニクス
|
| 内容紹介 |
WBG半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSiパワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者が解説する。 |
| 言語区分 |
JPN |
| タイトルコード |
1009812467346 |
目次
内容細目
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